求问LVDS3.3和LVDS2.5的区别

1. 背景知识：标准LVDS共模电压为1.2~1.25V左右。 2. LVDS25和LVDS33等名称，是芯片厂家自己取的名字。以Xilinx为例，之所以要求在2.5V bank或3.3V bank内使用LVDS电平，是Xilinx 为了让自己的芯片内部的共模电压满足标准的要求（即1.25V左右）。因为在LVDS管脚内部，是靠对VCCIO分压钳位得到的共模电压。这些在Xilinx的IO手册中可以看到内部结构。 3. LVDS25和LVDS33的区别，是不同系列的芯片要求不同。例如A7系列要求LVDS智能在2.5V bank使用，是因为其IO内部分压比刚好为1:1左右，当VCCIO=2.5V时，其共模电压为1.25V；对于K7系列，其在HPbank也支持LVDS，是因为HP bank内部分压电阻比大约为1:2，从而共模电压约为0.67*1.8=1.2V；其他系列类似。 4. 因此，LVDS25和LVDS33只是由于IO内部结构的差异对供电提出了不同的需求。一旦满足了共模电压和差模电压的要求之后，就可以认为是标准LVDS信号了，对端芯片可以直接接口，而不需要关心这边到底是几伏供电。 【 在 suanmei 的大作中提到: 】 : 如题，我从资料上看，2个的标准电压范围一样啊。就只是供电不一样吗。 : 应该是可以兼容吧

说起来LVDS不是电流源驱动的么。。。 【 在 teamo (/ti 'amo/) 的大作中提到: 】 : 1. 背景知识：标准LVDS共模电压为1.2~1.25V左右。 : 2. LVDS25和LVDS33等名称，是芯片厂家自己取的名字。以Xilinx为例，之所以要求在2.5V bank或3.3V bank内使用LVDS电平，是Xilinx 为了让自己的芯片内部的共模电压满足标准的要求（即1.25V左右）。因为在LVDS管脚内部，是靠对VCCIO分压钳位得到的共模电压。这些在Xilinx的 : 3. LVDS25和LVDS33的区别，是不同系列的芯片要求不同。例如A7系列要求LVDS智能在2.5V bank使用，是因为其IO内部分压比刚好为1:1左右，当VCCIO=2.5V时，其共模电压为1.25V；对于K7系列，其在HPbank也支持LVDS，是因为HP bank内部分压电阻比大约为1:2，从而共模电压约为0. : ...................