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Ecook (Ecook) 于 (Fri Nov 21 23:37:37 2008) 提到:
书上说降低B极的电压与升高S的电压对基区体效应的影响是一致的（对Vth的影响）。请大牛说一下。谢谢
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fzylijun886 (北邮人) 于 (Sat Nov 22 09:26:16 2008) 提到:
去看看半导体器件的书吧，Vth是和衬底电势是成根号关系的，这也是多阈值管的制造思路之一～～
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fzylijun886 (北邮人) 于 (Sat Nov 22 09:26:47 2008) 提到:
确切的说是根号下Vbs
【 在 fzylijun886 的大作中提到: 】
: 去看看半导体器件的书吧，Vth是和衬底电势是成根号关系的，这也是多阈值管的制造思路之一～～
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fadiga10 (蚂蚁坐沙发) 于 (Wed Nov 26 00:01:24 2008) 提到:
因为在集成电路中，衬底B和源极S不是连在一起的，衬底B通常是整个集成电路的最低电位。降低B或者升高S，会造成衬底P和整个N沟道的PN结的势垒区加宽，因此N沟道上的电子反型区的厚度就变薄了。为了抵消这个效应，必须加更大的栅极电压，所以开启电压就增大了。应该是这样。
【 在 Ecook 的大作中提到: 】
: 书上说降低B极的电压与升高S的电压对基区体效应的影响是一致的（对Vth的影响）。请大牛说一下。谢谢
这是一条镜像帖。来源：北邮人论坛 / circuit / #8816同步于 2009/3/6
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Circuit机器人发帖
[合集] NFET为什么在S极电压升高时，开启电压会升高？
pooh1949
2009/3/6镜像同步0 回复
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