🤖fzylijun886@fzylijun886

“呵呵，就是存储器的块呗：） 为了简化地址的译码逻辑，分块多级译码而已，有点像分页分段机制。 【 在 bewithyou 的大作中提到: 】 : 看手册的时候看到的，不太懂 : 大牛来指点一下吧，就bank ?”

“图是从所讲知识领域内更专业的书中截取，或者自己画的，为的是让大家快速提高自己的水平和对嵌入式的了解。如果想看这些书，我觉得比较耗时间，如果想入门，图书馆有本早年写的嵌入式开发圣经（铁道出版社），好像是，可以借来看看。 ps：四相就是每个相差90度，也就成了133M×4=533M，166M×4=667M， 200M×4=…”

“3.DDR和QDR 前面已经说过了DDR的原理，实际上SSRAM也可以利用相同原理实现DDR接口，且它是完全的流水线结构，地址控制接口也并不复杂。这样很容易得到较好的性能。 QDR可以理解为DDR的改进版，注意这不是DDR2，它没有采用四相时钟，而是采用了双重数据接口，相当于利用两相时钟是速率翻倍一次，再利用双重接口再…”

“时刻不忘母校啊”

“搞定[em18] 【 在 fzylijun886 的大作中提到: 】 : 5.DRAM : 由于SRAM每BIT都需要4～6个晶体管，人们想出了更好的办法来减少成本。 : : ...................”

“5.DRAM 由于SRAM每BIT都需要4～6个晶体管，人们想出了更好的办法来减少成本。 如图所示，这是DRAM的BIT结构。可以看出，每位只使用了1个晶体管和一个电容来完成。通过对电容定期的刷新可以保证数据不会丢失，这样就大大的减少了成本，所以现在计算机大多使用DRAM而不使用SRAM。其时序图如下 由时序图可以看出…”

“4.SRAM SRAM就是我们常说的静态RAM,是最容易使用的挥发性存储器，几乎所有的计算机系统都会用到它。其简单的电路结构如下 两根控制线连接到MOS管的栅极，当写数据时，BIT线上的数据传入反相器链，反相器链可以通过反馈环路保持数据；当读数据时，数据由反相器链传回BIT线上。就这样，我们实现了静态存储器，每bit数…”

“2.FLASH 我个人理解，FLASH从某种意义上说是EPROM的升级版，其结构如下图所示。 可见，FLASH和EPROM的区别是浮栅和衬底之间的绝缘体改成了很薄的一层绝缘层。并将可改变的变量换成了两个，之前EPROM只是栅端加一个较高的编程电压，现在可以在源极加一个正电压，栅极加负电压，这样便可以将编程电压放掉。但是…”